非易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出 fm24cl32,提供具高速读/写性能、低电压运行,以及出色的数据保持能力的串口非易失性ram器件。fm24cl32是32kb 非易失性存储器,工作电压为2.7v至3.6v,采用8脚soic封装,使用二线制 (i2c) 协议;并提供快速访问、无延迟 (nodelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1e14) 及低功耗特性。fm24cl32 适用于工业控制、计量、医疗、军事、游戏娱乐和计算应用及其它领域,可作为并口eeprom 存储器的直接替代产品。
ramtron市场推广经理mike peters 指出:“fm24cl32 为我们的标准存储器产品系列,增添了用户熟悉的 i2c 串口低功耗 32 kb器件选择。由于f-ram 的写入电路无需内部升压电源,因此新产品是需要频繁或快速写入操作的数据收集应用之理想非易失性存储器。”
在严苛的工业控制应用中,如果使用eeprom器件,其较长的写入时间可能会令数据丢失,而fm24cl32则可避免这种风险。此外,fm24cl32 即便在75℃ 工作温度下,仍能够提供长达45 年的可靠数据保存,完全满足电力计量行业对数据保存期限的要求。
关于fm24cl32
fm24cl32串口fram的结构容量为4,096 x 8位,使用业界标准二线制 (i2c) 通信接口。fm24cl32 无写入延迟,而且无需进行数据轮询即可执行下一个总线周期,效能比eeprom优胜。fm24cl32 最高能以1 mhz的总线速度进行写入,支持100 khz 和400 khz的总线频率,并提供长达45年的可靠数据保存,同时解决了由eeprom和其它非易失性存储器导致的系统复杂、时间开销和系统级可靠性的问题。
fm24cl32 具有 2.7v-3.6v 的低工作电压,写入电流为 70 ma (100 khz 下典型值),待机状态下为12ma,可在 -40℃ 至 85℃ 的工业温度范围内正常运作。
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